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学术讲座:铌酸锂光子芯片和光摩尔增长路线图

发布时间:2023-10-16 16:53:04 来源: 点击量:

2023925日下午,工程物理学院马钰洁助理教授邀请华东师范大学程亚教授在C3-405报告厅做以“铌酸锂光子芯片和光摩尔增长路线图”为主题的学术讲座,相关研究领域的师生参与了本次讲座。

 

程亚教授从1959年美国仙童公司推出的全球首款平面型晶体管引入,介绍了大规模集成电路与光刻技术在人类科技发展史上的重要作用,提出了借助摩尔定律持续驱动研发与产业高速增长的路线能否被光子芯片所复制的问题。光子集成技术起步于1969年,却至今无法实现光子芯片集成规模的摩尔指数增长,其背后有深刻的物理、材料与制造技术的限制原因。然而,铌酸锂单晶薄膜的出现以及无限视野高精度光刻技术的发展,能够以低成本制造的方式实现超低损耗、超小功耗、超大规模、超高带宽的光子集成器件与系统。程亚教授所率领的团队利用飞秒激光加工辅助的化学机械研磨研发了一种高效、大规模制备超低损耗的铌酸锂波导的方法,该方法制备的铌酸锂波导损耗极低,约0.03dB/cm。经过持续的技术与工艺提升,该波导制备技术已日趋成熟,可满足铌酸锂晶圆级全尺寸光子器件的流片需求。这为实现未来光子芯片集成规模摩尔指数增长提供了无限可能。

程亚,1993年复旦大学获学士学位,1998年上海光机所获博士学位。现为华东师范大学教授,上海光机所研究员。研究兴趣为超快激光与物质相互作用,及超快激光微纳结构制备。针对激光直写光刻应用,发明了“slit beam shaping”“spatiotemporal focusing”两项被国际同行广泛借鉴采用并深入研究的光场整形技术,保持铌酸锂光波导最低损耗、铌酸锂光子微腔最高品质因子两项世界纪录。