项目经历：

1. 2022年度广东省本科高校在线开放课程指导委员会研究课题，《大学物理》在线多媒体资源和课程建设，2万元，省级项目，2022/07-2024/06，结题，主持。

2. 2021年教育部产学合作协同育人项目，互联网教育背景下的多媒体教材建设，5万元，横向项目，2021/09-2022/08，结题，主持。

3. 深圳技术大学横向项目，20210202034-基于射频集成电路及版图的多媒体资源建设，14万元，横向项目，2021/09-2023/08，结题，主持。

4. 2019年度深圳技术大学新引进高端人才财政补助科研启动经费，2019010801007-基于InGaZnO的高性能柔性薄膜晶体管，270万元，校级项目，2019/01-2021/12，结题，主持。

5. 2020年青年教师教育教学能力培养提升计划，校级本科教研项目，1万元，2020/05-2021/04，苏彦涛(导师)、宋家琪（青年教师），已结题。

荣誉奖励：

1. 2024年第十届全国大学生物理实验竞赛，指导学生荣获三等奖(国家级)，2024年12月。

2. 深圳技术大学 2024 年第四届大学生物理实验竞赛，指导学生荣获一等奖(校级)，2024年9月。

3. 深圳技术大学2024年教师节润园“优秀教学工作者”，2024年9月。

4. 2024年深圳技术大学首届“大思政课”教学竞赛，一等奖，2024年5月。

5. 2023年第九届全国大学生物理实验竞赛，指导学生荣获二等奖(国家级)，2023年12月。

6. 第二十四届华南大学生物理实验设计大赛，指导学生荣获二等奖(省级)，2023年11月。

7. 深圳技术大学2023年第三届大学生物理实验竞赛，指导学生荣获一等奖1项(校级) 和二等奖1项(校级)，2023年9月。

8. 2022年第八届全国大学生物理实验竞赛，指导学生荣获三等奖（国家级），2022年12月。

9. 深圳技术大学2022年第二届大学生物理实验竞赛，指导学生荣获二等奖（校级），2022年9月。

10. 2022年广东省高等学校物理基础课程青年教师讲课比赛，二等奖&最佳教风奖(省级)，2022年5月。

11. 首届华南大学生物理实验设计大赛暨第二十二届广东大学生物理实验设计大赛，指导学生荣获二等奖(省级)，2021年11月。

12. 深圳技术大学2021年首届大学生物理实验竞赛，指导学生荣获三等奖(校级)，2021年8月。

13. 深圳技术大学2020年度教师晶体奖(校级)，2021年1月。

14. 深圳技术大学2020年度讲课竞赛，三等奖(校级)，2020年12月。

教材专著：

1. 《大学物理实验》，主编：苏彦涛、宋家琪，副主编：于永芹、张玉风、梁德志、蓝华斌、蒋长勇，高等教育出版社，2024年6月出版。

主要论文：

1. J. Q. Song, Y. Q. Yu, K. L. Zheng, Y. T. Su*, Improved performance of InGaZnO thin-film transistor with Ti incorporation into La2O3 gate dielectric, Journal of the Electron Devices Society, vol. 9, pp. 814, 2021.

2. J. Q. Song, X. D. Huang, C. Y. Han, Y. Q. Yu, Y. T. Su, P. T. Lai*, Recent Developments of Flexible InGaZnO Thin-Film Transistors, Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, vol. 218, no. 7, pp. 2000527, 2021.

3. J. Q. Song, L. X. Qian, P. T. Lai, Improved performance of amorphous InGaZnO thin-film transistor by Hf incorporation in La2O3 gate dielectric, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 18, no. 3, pp. 333, 2018.

4. J. Q. Song, L. X. Qian, P. T. Lai, Effects of Ta incorporation in Y2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor, Applied Physics Letters, vol. 109, no. 16, pp. 163504, 2016.

5. J. Q. Song, C. Y. Han, P. T. Lai, Comparative study of Nb2O5, NbLaO, and La2O3 as gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1928, 2016.

6. J. Q. Song, L. X. Qian, C. H. Leung, and P. T. Lai, Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation, Applied Physics Express, vol. 8, no. 6, pp. 066503, 2015.

7. J. Q. Song, X. D. Huang, P. T. Lai, Comparative study of InGaZnO thin-film transistors with single and dual NbLaO gate dielectric layers, IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2016.

专利申请：

以第一发明人的身份成功申请3项发明专利和2项实用新型专利：

1. 专利号：202011176695.0，柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法；

2. 专利号：202011176681.9，柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法；

3. 专利号：202011179144.X，柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法；

4. 专利号：202123083598.X，一种柔性 IGZO 薄膜晶体管(2022年6月获得授权)；

5. 专利号：202123087168.5，一种新型氧化物薄膜晶体管器件(2022年5月获得授权)。